회사소개
제품정보
투자정보
채용정보
고객지원
윤리강령
사이버신문고
닫기
  1. LOGIN
  2. JOIN
회사소개
제품정보
투자정보
채용정보
고객지원
윤리강령
사이버신문고
닫기

제품정보

WE ENGINEER TO INNOVATE

Zr precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
ZAC 110 / 1 185 8.4 High-k
SZ-400 110 / 1 185 4.1
SZ-1200 145 / 1 221 18.5
SZ-1300 144 / 1 222 3.89
SZ-1400 163 / 1 242 7.28

Ge precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
GE-100 126 / 1 200 3.43 Dopant &
New memory
GE-200 135 / 1 208 11.3

Hf precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
HAC 93 / 1 178 14.3 High-k
SH-200 150 / 1 213 17.6
SH-300 141 / 1 209 6.46
SH-400 163 / 1 240 7.20

Nb precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
TBTDEN 91 / 1 207 High-k
SN-200 137 / 1 229
SN-300 - 189

Si precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
PS-100 155 / 1 239 - Dopant
PS-300 77 / 1 172
PS-400 - 164
제품명 Assay (%) Purity (%) Color 비고
OMCTS 99.984 99.99999 Colorless Low-k

Al precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
AL-300 98 / 1 181 6.9 High-k
AL-400 148 / 1 225 11.9

Ti precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
TI-100 147 / 1 218 2.6 Barrier metal
TI-400 170 / 1 250 2.74

Mo precursor 기초 물성

자료 준비중 입니다


Co precursor 기초 물성

자료 준비중 입니다